光芯片行业深度:市场格局、发展空间、产业链及相关公司深度梳理

光芯片行业概况

　　光芯片是光模块的核心组成部分，负责实现光电信号转换。AI 服务器的 GPU/CPU 之间需要处理海量数据交换，传统电信号传输面临带宽和功耗瓶颈，而光通信凭借高频宽、低延迟的优势成为关键解决方案。在 AI 服务器中，光模块用于连接 GPU 集群，光芯片作为光模块的核心器件，负责将电信号与光信号相互转换，以满足 AI 服务器内部及集群间高速、低延迟的数据传输需求。

　　高速光模块需要更先进的光芯片支持。ChatGPT 等大模型应用对算力的需求激增，直接拉动 AI 服务器搭载更多 GPU，并促使光模块向 800G 及以上速率迭代。AI 服务器对光模块的需求量显著高于传统服务器，而且高速率光芯片（25G 及以上）价格更高，国产替代进程加速的背景下，国内厂商在高端市场渗透率提升有望带来更高附加值。

　　光芯片是现代光通信器件核心元件，是实现光电信号转换的三五族化合物半导体材料。激光器芯片和探测器芯片合称为光芯片。光芯片是光电子器件的重要组成部分，是半导体的重要分类，其技术代表着现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域，其发展对光电子产业及电子信息产业具有重大影响。高速光芯片是现代高速通讯网络的核心之一。光芯片系实现光电信号转换的基础元件，其性能直接决定了光通信系统的传输效率。光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中心等网络系统里，光芯片都是决定信息传输速度和网络可靠性的关键。

光芯片创新性强，我国政府在光电子技术产业进行重点政策布局

　　光电子信息行业是构建国家新型数字基础设施、提供网络和信息服务、全面支撑经济社会发展的战略性和先导性行业，是我国推进“数字中国”建设的必要前提。光电子信息产业作为应用广泛的战略高技术产业，也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。因此，光芯片作为光电子信息产业链上具备高新技术属性与创新引领效应的关键一环，体现出较强的创新特征。

　　我国政府在光电子技术产业进行重点政策布局。“十五五”规划建议提出适度超前建设新型基础设施，推进信息通信网络、全国一体化算力网、重大科技基础设施等建设和集约高效利用。国家和地方政府陆续出台多项政策支持光芯片产业的发展。相关政策和规划的推出对引领我国光电子器件产业发展方向、实现国家中长期产业布局和规划、推动国内企业抢占产业发展制高点起到积极作用。

海外厂商把控光芯片市场

　　全球光通信芯片市场呈现出明显的梯队竞争格局。Broadcom、Lumentum、Coherent等欧美企业凭借深厚的技术积累、长期的市场耕耘以及强大的研发实力，处于第一梯队，牢牢占据主要市场份额。在高端产品领域，如高速率、高性能的EML芯片、复杂的光集成芯片等方面，它们拥有绝对优势，广泛应用于对性能要求极高的数据中心核心交换、长距离骨干网通信等场景。

　　国内高端光芯片（25G+）国产化率仅约4%。海外光芯片公司普遍具有从光芯片、光收发组件、光模块全产业链覆盖能力。除了衬底需要对外采购，海外领先光芯片企业可自行完成芯片设计、晶圆外延等关键工序，可量产25G及以上速率光芯片。此外，海外领先光芯片企业在高端通信激光器领域已经广泛布局，在可调谐激光器、超窄线宽激光器、大功率激光器等领域也已有深厚积累。

　　国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力，而光芯片核心的外延技术并不成熟，高端的外延片需向国际外延厂进行采购，限制了高端光芯片的发展。国内相关企业仅在2.5G和10G光芯片领域实现核心技术的掌握，2.5G及以下速率光芯片国产化率超过90%；10G光芯片国产化率约60%；25Gbs及以上的光芯片国产化率低，仅有约4%。

中东地缘冲突加剧光芯片供给受限

　　除海外龙头对高端光芯片的垄断已形成行业核心供给约束外，地缘政治冲突进一步加剧了全球光通信产业链的供给不确定性。其中，中东地缘冲突对以色列光模块及上游核心芯片产业的持续冲击，不仅进一步凸显了光通信产业链自主可控的核心战略价值，更成为加速国内高端光芯片国产替代进程的重要催化因素。

　　以色列是全球高端光通信核心产业基地，汇聚了Tower、ColorChip、DustPhotonics等光芯片、光模块与光器件企业，是北美云厂商与AI企业高端光模块的核心供应方。据2026年3月台湾经济日报报道，随着中东地缘冲突的持续发酵，Tower以色列本土工厂已出现出货受阻、交付周期拉长的情况，直接影响全球高端光模块的供应链稳定。

　　对于国内光芯片与光模块产业而言，以色列光模块产业的供给波动，一方面为国内具备高端产品交付能力的光模块企业带来份额提升的机遇，另一方面也倒逼国内光模块企业加速推进上游光芯片的国产验证与替代，减少对海外高端光芯片的进口依赖，为国内高端光芯片企业提供了技术迭代的市场空间。

光芯片行业市场格局

全球光芯片市场呈现“美日双头垄断，中国结构性突破”的鲜明特征

　　当前，全球光芯片市场竞争格局呈现“美日双头垄断，中国结构性突破”的鲜明特征。

　　在高端市场，美国 Coherent、Lumentum 与日本三菱电机、住友电工等企业凭借深厚的技术积累，构筑了以25G 及以上高速率 DFB、EML 芯片为核心的专利与技术壁垒，占据绝对主导地位。与此同时，中国光芯片产业正经历从“中低端自主”向“高端攻坚”的关键转型：在 2.5G、10G 等中低速率产品上已实现高度国产化；在25GDFB 芯片领域，以武汉敏芯、源杰科技为代表的企业已实现规模化商用，成功切入5G 前传与数据中心市场；然而，在真正决定产业话语权的 EML 芯片及高端APD 芯片等“卡脖子”环节，国产化率仍非常低，是当前本土厂商集中攻坚的核心挑战。

光芯片行业具有较高的技术壁垒

　　光芯片处于光通信产业链的核心位置，属于技术密集型行业，制造难度较高，工艺流程复杂，研发周期较长，占据了产业链的价值制高点。光通信芯片企业为保证产品竞争力，需要持续保持高研发投入以不断提升技术水平，且要求核心技术人员及研发人员具备较高的专业水准、设计水平与成熟的研发经验，深入理解各工艺的工作原理，不断调整各项参数与技术细节，从而实现自主的设计开发与自主的特色工艺。同时，光芯片作为驱动我国经济社会创新发展的战略性和先导性行业，下游需求日新月异，技术迭代速度极快，企业需要准确把握技术发展趋势，持续进行技术创新。因此，光芯片行业具有较高的技术壁垒。

人才壁垒

　　光芯片行业对从业人员的综合素质要求较高，通常需要其掌握跨行业领域知识、成熟的产业化经验和综合管理能力等多方面技能。其中，跨行业领域知识包括通信、半导体、电子、化学等多学科复合知识与技能，兼具扎实的科研能力与过硬的技术实力；成熟的产业化经验指对行业发展趋势的清晰认知、对芯片制程的深入研究、对业务流程和管理模式的深刻理解等，兼具成熟可靠的生产工艺与实现技术成果产业化的能力；综合管理能力是指高水平的技术研发与生产管理能力、客户资源及市场拓展能力、沟通与快速学习能力等。因此，光芯片行业具有较高的人才壁垒。

客户验证壁垒

　　光芯片的终端客户主要为运营商及互联网企业等，在产品性能达标的基础上，严格要求产品的可靠性及长期使用的稳定性。光芯片可能涉及户外高温、高湿、低温等极端恶劣的应用场景，为保证产品在严苛环境下长时间运行，客户对光通信芯片可靠性验证的项目繁多且耗时长久，如高温老化测试、高低温循环测试、高温高湿测试等，验证过程通常长达数月。光芯片厂商一旦通过客户验证并获准进入其供应链后，客户普遍倾向于与之开展长期合作，避免频繁更换供应商。因此，行业新进入者较难在短期内获准进入客户供应链，客户验证壁垒较高。

资金壁垒

　　欧美日国家光芯片行业起步较早、技术领先。光芯片主要使用光电子技术，海外在近代光电子技术起步较早、积累较多，欧美日等发达国家陆续将光子集成产业列入国家发展战略规划，其中，美国建立“国家光子集成制造创新研究所”，打造光子集成器件研发制备平台；欧盟实施“地平线2020”计划，集中部署光电子集成研究项目；日本实施“先端研究开发计划”，部署光电子融合系统技术开发项目。

　　海外光芯片公司拥有先发优势，通过积累核心技术及生产工艺，逐步实现产业闭环，建立起较高的行业壁垒。全球范围看，Coherent、Lumentum等国际光通信巨头在企业规模、技术积累、资金实力等方面相比国内厂商均占据显著竞争优势，并不断通过头部厂商之间的并购来维持其垄断地位。

　　随着光通信产业向更高速率、更大容量、更长传输距离迭代，国际龙头转而专注于200G及以上超高速率光芯片、硅光子芯片、光子集成芯片等前沿领域，从而逐步放开25G及以下速率产品市场的主导地位，为国内厂商创造了一定的市场空间，加之我国拥有全球最大的光通信市场、顶尖的系统设备企业和模块企业，我国光通信芯片行业的发展具备有利的发展环境。

　　传输速率标志着光芯片的技术代际。光通信芯片传输速率以2.5G、10G、25G、50G、100G、200G作为主要的代际节点。目前，国际光芯片龙头企业已处于100G向200G迭代的技术节点，而国内厂商的产品速率普遍处于从50G到100G的升级过程，与国际龙头存在一到两个技术代际的差距。EML芯片目前已成为25G、50G及以上速率激光器芯片的主流方案，尤其是目前应用于AI算力数据中心的50G以上EML芯片，国内市场几乎完全被美、日龙头企业垄断。目前，国内厂商大多仍处于25G/50GEML的客户验证阶段。

光芯片是整条光通信产业链最薄弱的瓶颈环节，国产光芯片蓄势待发

　　虽然我国光模块厂商在全球占据相当重要的市场地位，但是由于核心的高端光芯片严重依赖进口，与国外产业领先水平存在一定差距。国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力，而光芯片核心的外延技术并不成熟，高端的外延片需向国际外延厂进行采购，限制了高端光芯片的发展。

　　我国光芯片企业追赶较快，目前部分企业已具备领先水平，随着技术提升和市场地位提高，竞争力将进一步增强。在中美贸易关系存在较大不确定的背景下，国内企业开始测试并验证国内的光芯片产品，寻求国产化替代，将促进光芯片行业的自主化进程。

　　在数据中心市场中，尤其是以AI为代表的应用拉动了800G/1.6T等高速光模块的需求，进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如100G PAM4 EML光芯片、70mW、100mW大光功率激光器等。目前数据中心市场以海外厂商为主，国内厂商加速追赶。源杰科技基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的100G/200GEML、大功率激光器产品，在单波或多波长的CWDM、LWDM需求方面，适配相关的高速光模块的需求，且性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。长光华芯2025年发布的200G EML配套产品和70mW CWDM4CW Laser光芯片新品，代表着国产化高端光芯片的重大技术突破，填补了国内高端芯片的供应链短缺和国产化空白。

　　在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大；未来25G/50GPON接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛。

EML 激光器属于边发射激光器（EEL）

　　工作波长为 1270-1610nm，本质是电吸收调制激光器，集成了 DFB 激光器和电吸收调制器，通过电场调制的方式，EML 激光器可以实现对激光输出强度的调控，从而实现光信号的调制和传输。优势是调制频率高、稳定性好、传输距离长，但成本较高；多用于高速率长距离场景，像电信骨干网、城域网及数据中心互联。

　　EML 激光器在光通信领域有着广泛的应用，在光纤通信系统领域用于长距离、高速数据传输；又能够应用于数据中心互连，实现数据中心内部和数据中心间的高速连接；还可以支持无线接入网络，为 5G 和未来移动通信系统的高速数据传输提供支撑；同时也可用于光储存器，在光存储系统中用于信息读写和传输。

　　EML 的工作原理是通过电吸收调制光信号：

• 激射阶段（Lasing Stage）：施加电流使激光器段产生激射，并形成初始光信号。
• 调制阶段（Modulation Stage）：通过调制器段施加调制电压，调控光信号的强度和频率。
• 复用与传输（Multiplexing and Transmission）：将调制后的光信号与其他信号进行复用，用于数据传输或通信。

VCSEL 芯片属于面发射激光器

　　是从垂直于衬底面射出激光的半导体激光器件。垂直腔面发射激光芯片，工作波长为 800-900nm ；具有低功耗、低温漂、高调制带宽、高扩展性、易于片上集成等优势，已成为光子集成领域的核心光源和片上集成平台。但传输距离短、线性度差；适用于短波长场景。VCSELs平面结构和垂直衬底出射的特点使其成为三维垂直堆叠式集成光子器件和系统的绝佳光源兼集成平台。

　　VCSEL 器件制作工艺中外延生长技术为行业核心壁垒。VCSEL 的主要制造被分成两个主要的部分，一部分是实现“三明治”结构的 MOCVD 金属有机物化学气相沉积技术，即外延生长过程；一部分是实现后端各种结构和需求的晶圆工艺，包括形成图形化掩膜、光刻，电极蒸发沉积及剥离，湿法台面蚀刻，侧向湿法氧化，BCB 填充等。全生产链条对技术积累要求深厚。具体来看，核心工艺环节包括外延工艺、氧化工艺、保护绝缘等，其中外延生长技术为行业核心壁垒。

　　近年来，在国产替代大趋势下，VCSEL 芯片国产化加速。目前国内部分 VCSEL 芯片企业在技术、工艺、性能等方面已接近国际先进水平，如长光华芯 VCSEL 芯片最高转换效率60.0%以上。

　　VCSEL 的应用领域根据其发射波长的不同而多样化：

• 在 400nm 的紫外波段，VCSEL 目前主要处于研发阶段，未来可能应用于增强现实（AR）、虚拟现实（VR）、抬头显示（HUD）以及汽车激光照明。
• 商业常见的可见光 VCSEL 波长通常在可见光范围内，波长范围通常在 400nm~700nm 之间，它们在技术上更为成熟，应用也更为广泛，通常用于数据通信、传感和照明等领域，例如智能手机中的面部识别和光通信模块。
• 对于大于 700nm 但小于 780nm 的近红外波段，VCSEL 的应用较为有限，主要包括塑料光纤通信（POF）、激光打印、脉搏血氧仪和工业传感器。
• 780 至 1400nm 的近红外波段是 VCSEL 应用最为丰富的区域，涵盖了光通信、计算机鼠标、3D 成像、工业加热、激光雷达（LiDAR）、脉搏血氧仪和原子钟等众多领域。
• 1400 至 3000nm 的短波红外（SWIR）波段虽然应用较少，但在环境传感（TDLS）和光通信领域发挥着作用，同时在硅光子学和 3D 成像方面展现出潜在的应用前景。

国产替代逻辑为国产厂商成长的主要催化因子

　　国产替代逻辑为国产厂商成长的主要催化因子。目前国内光芯片企业仅在 2.5G 和 10G 领域中实现核心技术掌握，但对于高端光芯片的国产替代率仍较低：2.5G 及以下速率光芯片国产化率约90%，但25G以上光芯片的国产化率较低，仍以海外光芯片厂商为主。

光芯片厂商核心竞争力分析

　　光芯片厂商普遍采用 IDM 模式，与下游光模块厂商配合进行设计和外延制造。芯片设计与晶圆制造需要持续双向反馈与验证，IDM 模式能灵活调整设计、工艺和产能规划，各环节均可精准排查，便于迅速定位问题来源，大幅提升产品性能与可靠性。相比于 Fabless 或 Foundry 模式，IDM 模式的进入壁垒更高。一方面，前期资本开支与技术投入较高，需要建设覆盖设计、制造到封测的全流程产线；同时对工艺有严格要求，需具备稳定的量产与良率控制能力；此外，需建立与下游核心客户在产品定义、验证及长期供货上的深度合作关系。

　　光芯片厂商的核心竞争力主要体现在研发迭代、工艺良率与产能规模三个方面。III-V族芯片制备属于非标准化的专有工艺，具体工序设置与工艺细节在不同厂商和产品之间差异显著，高度依赖长期积累的“Know-How”。

海外先代优势，同产联价对

　　海外发展光芯片企业历史悠久，先发优势明显，在激光器前沿领域持续创新能力强。EML 芯片方面，Lumentum 自 2019 年推出 100GEML 并启动 200G 研发，2023 年实现 200GEML 放量，2024 年启动400GEML研发，并于 2025 年展示全球首个 400GEML。国内厂商 EML 芯片节奏滞后。国内厂商看点在于 CW 光源。2023-2024 年前后，以源杰科技与仕佳光子为代表的国内厂商开始转向重点布局 CW 光源+硅光路线，两家公司在 2024 年均实现了 70mW CW 光源的量产出货。

　　步放量。海外光芯片厂商以 EML 芯片为主，以 Lumentum 为例，在 2017、2022 年左右，受益于传统分立式光模块速率升级，其激光器业务收入显著增长。国内厂商聚焦 CW 光源+硅光路线，随硅光在 800G/1.6T 架构中加速渗透，CW 正进入放量兑现期，国内厂商营收弹性与成长斜率显著提升。

良率：外延工艺难度高，影响效率和毛利

　　光芯片生产工序较多，核心制造难点在于外延生长和光栅构造。III–V 族芯片的工艺制程为百纳米量级，核心环节包括外延、光刻、刻蚀、沉积、退火、研磨抛光、减薄等。其中，外延是技术壁垒最高、成本占比最大的环节，也是决定激光器芯片性能的关键因素。

　　金属有机化学气相沉积（MOCVD）是 III-V 族化合物半导体常用的外延技术，在衬底上沉积高质量、厚度可控的单晶薄膜。具体而言，将 InP、GaAs 等衬底置入反应腔后，通过调控温度、压力及金属有机前驱体流量，按设计逐层生长各功能层，从而构建激光器、调制器等高速光电器件所需的完整外延结构。

　　MOCVD 工艺窗口狭窄，光芯片整体良率控制难度较大。高速光芯片的外延结构可概括为三部分：

• 有源层：由多量子阱（MQW）及其限制层构成，决定器件的阈值、电光带宽和光谱特性；
• 无源层：如低损波导层、电流阻挡层、应力缓冲/过渡层和隔离层等，用于形成光波导、限制电流扩散并改善晶格匹配问题；
• p/n掺杂包层，用于实现稳定的载流子注入并增强光学约束。

　　EML 外延复杂制约良率爬坡，CW 光源更具量产良率优势。EML 芯片需要在单一外延片上同时构建 DFB 增益区与 EA 吸收区，外延周期和光刻步骤明显增加；同时，增益段与调制段之间界面与掺杂控制要求严格，整体良率提升难度较大。相比之下，硅光方案将调制功能转移至 PIC，CW 激光器仅作为高功率连续光源，芯片结构更为集中、工艺链条更短，显著降低了外延生长的复杂度。

难点二：光栅构造

　　光栅工艺是激光器构建光反馈的核心步骤。光栅构造需要在外延层上刻写周期调制结构以构建反馈腔。光栅精度直接影响激光器芯片的产品可靠性、出光功率、极限工作温度、模态稳定性等。EBL 和 NML 为高性能激光器芯片的主流写栅路径。光栅工艺方法包括：

• 全息光栅工艺：依靠两束激光的干涉形成周期性图样，是低速器件的主要工艺；
• 电子束光刻（EBL）：电磁场控制电子形成电子束直接定义图形，可灵活作图、实现非等周期设计，为高性能器件的主导方案。
• 纳米压印（NML）：通过模具物理复制实现纳米级图形转移，具备分辨率高、效率高、单片成本低的优势，适合规则结构的规模化制造。

晶圆尺寸选择需要权衡良率和成本效率

　　大晶圆具备规模经济优势，可减少边缘材料浪费、摊薄设备与工序成本。在忽略边缘损耗的前提下，单片 6 英寸晶圆的可用面积约为 4 英寸的 2.25 倍、2 英寸的 9 倍。根据 Coherent CY25Q3 业绩会表述，相比 3 英寸晶圆，6 英寸晶圆芯片产出可提升 4 倍以上、单位成本可降超一半。增加晶圆尺寸会放大良率波动，需权衡选择量产工艺。当前全球 InP 外延产能以 2 英寸至 4 英寸为主，正加速向 6 英寸及以上规格升级。Lumentum 主要采用 3 英寸与 4 英寸工艺，并决定在短期内专注 4 英寸方案，以保证产品良率。Coherent 正加速推进 3 英寸向 6 英寸切换，其位于美国德克萨斯州的首条 6 英寸产线已于 2025 年 6 月建成并投入生产，同时瑞典的新基地也在推进建设。

相关公司

源杰科技：光芯片龙头紧握 AI 机遇，CW 光源放量驱动业绩高增

　　AI 驱动数通市场高景气，电信市场稳步向下一代技术演进。随着人工智能技术的快速发展，模型性能提高需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加，进入 2025 年这一投资趋势持续加强，400G/800G 以太网光模块出货量激增，进而拉动光芯片的需求。根据 LightCounting 预测，光通信芯片组市场预计将在 2025 至 2030 年间以 17% 的年复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从 2024 年的约 35 亿美元增至 2030 年的超 110 亿美元。

　　电信市场方面，5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善，光纤接入领域开始向“万兆”加速，作为 ITU-T 定义的下一代 PON 技术，50G PON 比 10G PON 带宽提升了 5 倍、时延降低了 100 倍。整体来看，数据中心市场需求与 AI 等技术发展紧密相关，增长确定性较高；电信市场需求则具有较强的稳定性和持续性。

　　紧抓 AI 算力需求机遇，实现跨越式发展。公司精准把握了 AI 算力需求快速增长带来的市场机遇，实现了经营规模的快速扩张。2025 年上半年，公司实现营业收入 2.05 亿元，同比增长 70.57%；实现归母净利润 0.46 万元，同比增长 330.31%。2025 年全年，公司营业收入达到 6.01 亿元，同比增长 138.5%；归母净利润 1.90 亿元，实现大幅扭亏为盈。业绩的高速增长主要得益于数据中心领域 CW 光源产品销售额实现大幅度增长，同时数据中心产品毛利率水平高于电信市场，推动公司收入及利润实现增长，电信业务板块经营情况基本保持稳定。

　　技术积累深厚，构筑“电信+数通”双轮驱动优势。公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。在技术方面，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装技术”等一系列核心技术。

　　在 AI 算力需求快速增长的背景下，公司在 AI 数据中心市场实现大幅度增长，尤其是硅光方案所需的大功率 CW 激光器芯片。公司基于多年在 DFB 激光器领域“设计+工艺+测试”的深度积累，针对 400G/800G 光模块需求，成功量产 CW 70mW 激光器芯片，CW 100mW 激光器产品也已完成客户端验证。公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握 AI 发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。目前公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域，形成了多元化的产品体系。

无源+有源光芯片核心供应商，全产业链自主可控构筑成本与技术护城河

　　公司主营产品涵盖光芯片及器件、室内光缆、线缆高分子材料三类，主要应用于数通市场、电信市场及传感市场。在光通信国产替代加速与全球 AI 算力基建爆发的双重驱动下，公司光芯片业务呈现显著增长新动能。DFB 作为800G及更高速率光模块的核心光源，其技术突破有望进一步提升高端光芯片国产化市占率，而PLC/AWG 芯片在5G 前传和城域网扩容及 AIDC 建设中的稳定需求将持续提供现金流支撑。

　　公司打破了光芯片设计与制造分离的传统格局，成功转型为覆盖芯片设计、晶圆制造、加工及封测全流程的IDM 厂商。依托这一模式，公司实现设计与制造环节的深度协同，不仅显著缩短了研发闭环周期，更通过对全产业链的强掌控力有效降低了制造损耗并优化良率。总体来说，全产业链自主可控使得公司能够采用“生产储备+快速响应”模式，AI 时代满足下游客户对芯片的定制化需求，深度绑定全球主流光模块客户。

　　全球 AI 资本开支超预期，高端光芯片需求持续强劲，光芯片及器件业务扩张。全球云厂商AI 资本开支超预期，带动光通信及铜缆等相关产业链蓬勃发展，呈现量升价优的行业格局。光芯片作为实现光电能量载体相互转换的最核心元件，主要分为激光器芯片和探测器芯片，芯片价值量较高；光器件在传统分立、硅光集成方案等光模块形态中，无源器件产品不可或缺。

　　从无源侧来看，AWG 芯片及模块已实现批量出货，在 400G/800G 光模块领域实现规模化应用，产能持续扩张，可与 PLC 等无源相关产品共用产线和产能；MPO 产品通过收购福可喜玛向上游 MT 插芯延伸，深度卡位高密度光纤连接器赛道；PLC 光分路器凭借全球领先的市场份额持续贡献稳健现金流，为公司基本盘提供坚实的业绩支撑。

　　从有源侧来看，2.5G、10G DFB 激光器芯片在接入网应用持续稳定批量供货，巩固在电信接入网市场的领先地位；数据中心用 100G EML 激光器芯片已完成初步开发，正在客户验证中，未来有望贡献营收新增量；公司切入硅光赛道，高功率 CWDFB 光源已获客户验证并实现小批量出货，在高端有源市场开启第二增长曲线。总体来说，全球数通光通信市场持续扩容，公司产品订单显著增长，业绩持续边际改善。

　　资本开支高增保障交付韧性，全球产能加速布局，高端国产芯片进程提速。面对MPO 等数通产品的高景气度与当前产能瓶颈，公司资本开支进入上行周期，重点投向鹤壁及泰国双基地生产建设。目前泰国工厂已完成二次扩容与设备投入，主要承接 MPO 连接器及室内光缆等产能。“国内+海外”的双轮驱动布局，不仅有效缓解了产能压力，更大幅提升了供应链韧性，降低国际贸易政策变动带来的不确定性。公司境外业务拓展成效显著，营收增速大幅提升，且境外毛利率显著高于境内，盈利能力进一步增强。公司深入实施降本增效，以 AWG 为试点推行的良率提升方案成效显著，并向有源CW 等产线全面推广，生产损耗的实质性降低进一步释放利润弹性。

长光华芯：公司坚持开拓创新，持续推出高功率激光与光通信系列产品

　　长光华芯专注于高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与 3D 传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及相关器件和系统的研发、生产与销售。公司主要产品包括高功率单管系列、高功率巴条系列、高效率 VCSEL 系列及光通信芯片系列，广泛应用于工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等领域。

　　2024 年，全球激光器市场受宏观经济下行、制造业投资放缓拖累，需求端整体疲软，叠加行业供给端产能过剩，产品价格持续走低，公司核心产品光纤耦合模块价格下滑尤为明显，当年公司实现营业收入2.73 亿元。步入 2025 年，公司经营状况显著回暖、业绩快速反弹，2025Q1-3 营业收入达3.39 亿元，同比增长 67.42%，同期公司毛利率为 36.03%。

　　公司坚持开拓创新，持续推出高功率激光与光通信系列产品。在高功率激光芯片领域，公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展。其中，双结单管芯片实现室温连续功率超 132W（芯片条宽 500μm，工作效率 62%），开启百瓦级单管芯片发展新纪元。此外，公司还推出 9XXnm 50W 高功率半导体激光芯片，该芯片在 330μm 发光区宽度内实现 50W 激光输出，光电转化效率≥62%，是当前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。

　　在光通信芯片领域，公司布局 EML、VCSEL、CW Laser 等多款光通信芯片，可为市场提供高端芯片解决方案。2025H1，公司 100G EML 芯片已实现量产，200G EML 芯片完成送样；100G VCSEL、100mW CW DFB 及 70mW CWDM4 DFB 芯片均已达到量产出货水平。

　　2026 年 2 月，长光华芯通过全资子公司出资设立苏州星钥光子科技有限公司，专项布局硅光技术。星钥光子硅光集成项目预计于 2026 年年底完成通线，该项目旨在搭建 CMOS 硅光芯片平台，是长光华芯布局下一代光通信技术的关键举措。

光迅科技：自研光芯片垂直布局，受益国内AI算力发展

　　光迅科技是国内光通信领军企业，主营光接入/数通和光传输产品。公司是中国信科集团所属公司，拥有从芯片、器件、模块到子系统的垂直集成能力，产品应用于电信光通信网络和数据中心网络。公司国内市场竞争力凸显，并积极拓展海外市场。据Omida数据，公司在全球光器件行业排名第四，并在传输网、接入网和数通等领域份额靠前。

　　2025年三季度，公司归母净利润为3.47亿元，同比+35.42%，环比+56.00%，创历史新高。全球AI算力高景气度持续，光迅科技国内市场份额领先。数通市场受益于AI催化，高速率光模块需求旺盛。全球各CSP云厂均加大AI算力基础设施投入，预计2025年，海外谷歌、微软、亚马逊、Meta等CSP厂商合计Capex超过3700亿美元，同比增幅超60%；国内字节、腾讯、阿里、百度等Capex超过3600亿元。国内智算中心正加速建设，国产算力芯片日渐成熟，推动国产算力配套光模块需求爆发。公司400G光模块已批量交付，800G产品获得订单，产品结构升级带动毛利提升，有望受益国内算力需求，并积极突破海外市场。

　　“东数西算”到“毫秒用算”网络建设推动传输网络需求增长。随着东数西算建设推进和智算中心发展，数据中心互联网络（DCI）需求有望爆发。同时，“毫秒用算”专项行动的开展，带动传输网升级，拉动高速低时延网络设备需求释放。公司具备光传送网端到端整体解决方案，有望受益传输网需求增长。Ciena预测2028年全球光传输网络市场规模（光接入DCA、光互联路由DCI、数据中心内DCN等）有望达140亿美元。

　　公司自研光芯片实现垂直布局，产能持续扩充。公司通过自研以及收购形成三大光芯片平台布局（平面光波导、III-V族以及SiP），低速光芯片自供率较高，积极研发100G以上高速率产品，实现从芯片到子系统的产业垂直整合。作为央企所属公司，有望发挥垂直优势，受益国产算力发展。产能方面，公司多次扩产支撑长期发展，2025年公司拟定增募资35亿元，用于算力中心高速光传输等产品生产建设和高速光互联及新兴光电子技术研发项目。技术方面，公司积极布局CPO/OCS等新技术，引领光电子互联技术升级。

市场空间

AIGC催化算力需求，全球光芯片市场快速发展

　　全球光芯片市场持续扩容，AI和数据中心应用加速驱动产业迈向高景气周期。随着全球数字经济加速发展，云计算、大数据、人工智能等技术广泛应用对高速、低延迟、高带宽的数据传输提出更高要求，光通信技术的战略地位日益凸显，带动光芯片需求快速释放。中国光芯片市场迎来国产替代窗口期，政策与技术协同释放长期成长潜力。在全球科技竞争加剧与本土技术自主化需求持续增强的背景下，中国光芯片产业链迎来加速国产替代的关键阶段。根据中商产业研究院测算，2023年我国光芯片市场规模达到137.62亿元，同比增长10.24%，2025年中国光芯片市场规模有望增长至159.14亿元。

“电信+数通”双轮驱动，光芯片应用加速扩张

　　光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求有望不断增加，特别是随着全球AIGC的发展，光芯片在电信市场、数据中心市场获得快速发展。

　　按照电信侧应用和数据中心侧应用来看，两者主要增长特点有所不同，电信侧应用10G及以下速率增长明显，主要受光纤接入市场驱动，而数据中心侧应用主要需求100G及以上速率电芯片。

　　电信市场：在电信侧应用场景，主要包括骨干网、城域网、无线接入（移动通信）和光纤接入（以PON为核心方案）等。2024年，光纤接入成为电信侧应用市场增长的主要驱动力，光通信电芯片按10G及以下速率、25G/50G速率和100G及以上（含128Gbaud）速率划分。据ICC讯石咨询统计，2024年全球电信侧光通信电芯片市场规模达到18.5亿美元；预计到2029年底全球电信侧光通信电芯片市场规模将达到37亿美元，复合年增长率（CAGR）为14.97%。

　　数通市场：随着人工智能的快速发展，模型性能提高，需要大量算力，导致对光器件的需求、能力的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。2024年，国内外CSP对AI基础设施的投资推动400G/800G以太网光模块出货量激增，进而拉动光芯片的需求。这一投资趋势在2025年持续加强，同时中国云厂商也开始进一步的跟进。在速率方面，2025年1.6T光模块将开始批量出货。随着交互速率及训练集群规模的提升，业界对功耗、散热、成本提出了更高要求，因此系统互联互通的方式需要不断优化，以实现更高的能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前，硅光技术在可插拔光模块中逐步提升，特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO方案也是未来趋势，其在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看，未来CPO、OIO的发展和应用，也将带来更多光互联领域的新增量。

　　光模块：光模块由光电子器件、功能电路和光接口等组成，光电子器件包括发射和接收两部分。当前由于云计算、大数据分析、人工智能等技术的快速发展，导致数据中心处理的数据量呈指数级增长。为了应对这种数据激增的情况，数据中心需要更高速率的光模块来提升网络带宽，确保数据传输的高效性和稳定性。400G和800G光模块能够提供更高的数据传输速率，满足数据中心对于高速、大容量传输的需求。根据中商产业研究院报告显示，2023年全球光模块的市场规模约99亿美元，同比增长3.1%，2024年约为108亿美元。预计2025年全球光模块市场规模将达121亿美元，2027年将突破150亿美元。

　　汽车光电子、激光雷达、自动驾驶、具身智能等市场在近年成为光芯片应用的新兴机会。根据法国调研机构YOLE数据，2023年全球车载激光雷达市场规模达到5.38亿美元，预计到2029年将增长到36.32亿美元，复合年增长率达38%，在市场份额方面，以禾赛、速腾聚创、图达通、华为和大疆览沃为代表，中国厂商占据全球车载激光雷达市场84%份额。在技术方面，激光雷达模组与光通信模块具有相似的光电信号转换功能，表明光通信电芯片技术在激光雷达系统也有重要价值。同时，基于AI的运用，具身智能机器人也将迎来广阔的应用场景，因此光通信电芯片在算力硬件部分仍将发挥重要的作用。

高端光芯片产能缺口扩大，国产替代空间广阔

　　国内高端光芯片完25G+国产化率仅约4%，国产替代空间广阔。根据长光华芯，全球高端光芯片产能缺口已扩大到25%-30%，再加上国产化率低，双重因素驱动了当前短期比较急缺的100G/200G的EML芯片和70~100mW的CW光源，以及100G